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一种激光束直写构造图形化磁性微纳结构的方法
专利号: 201510198408.9
发明人: 曹宇 | 李春林 | 魏鑫磊 | 何安 | 张健 | 朱德华 | 冯爱新
专利权人: 温州大学
专利授权日: 2016.11.02
专利类型: 发明专利


简介  
本发明提供了一种激光束直写构造图形化磁性微纳结构的方法,包括如下步骤:(1)在基板表面至少平铺一层以上的磁性材料颗粒,之后施加可控磁场,使得磁性材料颗粒在基板表面按照磁场的磁力线有序排列;(2)利用激光束从基板的背面一侧入射扫描,激光束辐照处吸收激光能量而发生极速升温,使得基板背面被辐照的区域不发生熔化或薄层熔化;对应基板正面的磁性材料颗粒表面部分熔化,冷却后实现磁性材料颗粒与基板的焊接;(3)重复步骤(1)-(2),实现多层、不同尺寸、有序的磁性微纳结构制备。该方法实现了图形化磁性微纳结构的制造,由于微纳结构的尺寸和图形可控,从而可以调控其表面超疏水、电磁波吸收和反射特性。